砷化镓 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。 砷化镓是一种重要的半导体材料。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。
锑化铟InSb,熔点：535℃，锑和铟的化合物。金属锑和铟在高温熔合而得。一般为云母的结晶体。除了具备砷化镓的基本特性外，灵敏度更高。
砷化铟 InAs，由铟和砷构成的Ⅲ一V族化合物半导体材料。InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效应和小的电阻温度系数，是制造霍尔器件和磁阻器件的理想材料。InAs的发射波长3.34μm，在InAs衬底上能生长晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。相对于霍尔的电流传感器，砷化铟综合了砷化镓和 锑化铟的
霍尔的电流传感器芯片，基本都是以上三种，这是构成霍尔传感器主要核心器件，从上世纪80年代到现在，几乎无可替代。
可惜这些芯片的技术始终在日本一方，随着市场不断的扩大延伸，日本对于以上霍尔器件的把握能力越来越强，逐渐变成目前一家独秀，垄断的局面。
国内目前也有厂家尝试生产，技术也是有的，但能不能实现和这些高 端芯片的替换，需要时间，也需要耐心。。。。
未完待续。。。。