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小电流传感器未来追求的一定是低功耗高集成之路(三)

砷化镓 GaAs。黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下,能在空气中稳定存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。 砷化镓是一种重要的半导体材料。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大56倍,故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外,还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中,兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小,导热性差,不适宜制作大功率器件。

  锑化铟InSb,熔点:535锑和铟的化合物。金属锑和铟在高温熔合而得。一般为云母的结晶体。除了具备砷化镓的基本特性外,灵敏度更高。

 

  砷化铟 InAs构成的V族化合物半导体材料。InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70),低的磁阻效应和小的电阻温度系数,是制造霍尔器件和磁阻器件的理想材料。InAs的发射波长3.34μm,在InAs衬底上能生长晶格匹配的InGaAsSbInAsPSbInAsSb多元外延材料,可制造24μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。相对于霍尔的电流传感器,砷化铟综合了砷化镓 锑化铟

 霍尔的电流传感器芯片,基本都是以上三种,这是构成霍尔传感器主要核心器件,从上世纪80年代到现在,几乎无可替代。

  可惜这些芯片的技术始终在日本一方,随着市场不断的扩大延伸,日本对于以上霍尔器件的把握能力越来越强,逐渐变成目前一家独秀,垄断的局面。

  国内目前也有厂家尝试生产,技术也是有的,但能不能实现和这些高端芯片的替换,需要时间,也需要耐心。。。。

   未完待续。。。。