第三类就是一些新材料，到目前为止，还不确定那种更具有市场价值，都在成长期，我们坚信未来会有更多的霍尔芯片填补市场的空白，但目前基本就是这个现状了。之所以强调小电流传感器未来追求的一定是低功耗高集成之路只因为材质不同传感器表现出来的性能差异性是非常大的。
不是说砷化镓 GaAs，砷化铟 InAs就一定比硅基的好。不同的应用场合有不同的要求，各有优势，例如硅基的，温度性能就相对很好。对与一些有高低温要求的**，或者物联网极端环境采集，硅基的表现是很好的。
（锑化铟InSb非线性器件，温度性能相对很差，掌握核心技术的AKM公司也不断的对产品进行升级，但是除了灵敏度以外，其他几乎看不到太大的优势，随着硅基的和新材料的发展，和市场对于精度的要求，几乎已经丧失市场价值）。
以上可以看出，不同材质的芯片有不同的性能表现。
而基于以上材料所封装的IC，就是我们选择适合自己产品的基本依据。
我们只所以说小电流适合ASIC的封装，是因为两点：
1、50A以下电流，市场需求逐年增加，非常大，霍尔的芯片相当于与互感器不便的是，霍尔是有源的，互感器无源，好处是，霍尔不需要后级电路保护，可直接采集，选用芯片霍尔，体积小，对空间要求低，生产工业方便，这些都是互感器所不具备的；
2、消费类电子或者一些用量较大的行业，芯片类传感器性能稳定，产品一致性好，不 良率可以轻松实现5PPM，而对于组件式霍尔几乎是不可能的。
当然目前的霍尔电流传感器芯片还有很多不成熟的地方，但随着市场的需求和产品不断的升级，优化，一定会越来越好，按照一般IC的发展周期，五年内，组件式小电流霍尔传感器终将退出历史舞台，这是必然！